BSC096N10LS5
アクティブ
RoHS対応

BSC096N10LS5

OptiMOS™ 5 power MOSFET in logic level provides low RDS(on) in a small package
データシート
パッケージ

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BSC096N10LS5
BSC096N10LS5
データシート


製品仕様情報

  • ID (@ TC=25°C) (最大)
    40 A
  • ID (@25°C) (最大)
    40 A
  • IDpuls (最大)
    160 A
  • Ptot (最大)
    83 W
  • QG (typ @4.5V)
    12 nC
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    12.5 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    9.6 mΩ
  • Special Features
    Logic Level
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    1.1 V～2.3 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.61
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N

推奨
OPN
BSC096N10LS5ATMA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
AT,DE
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
AT,DE
OptiMOS™ 5 100V power MOSFET in logic level offers a low gate charge, reducing switching losses without compromising conduction losses. This OptiMOS™ 5 (BSC096N10LS5) power MOSFET in SuperS08 package allows operations at high switching frequencies and it also provides a low gate threshold voltage which is allowing the MOSFET to be driven directly from microcontrollers. It is targeting charger , adapter and telecom applications.

特長

  • Low R DS(on) in small package
  • Low gate charge
  • Lower output charge
  • Logic level compatibilit

利点

  • Higher power density designs
  • Higher switching frequency
  • Reduced part count with 5V supplies
  • Driven directly from microcontrollers
System cost reduction
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ