AUIRFS4410Z

100V, N-Ch, 9 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, Gen 10.7
データシート

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AUIRFS4410Z
AUIRFS4410Z
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    97 A
  • Ptot max
    230 W
  • Qgd
    27 nC
  • QG (typ @10V) max
    83 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    9 mΩ
  • RthJC max
    0.65 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th) min
    2 V
  • VGS(th) max
    4 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    D2PAK D2PAK
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 技術
    Gen 10.7
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The HEXFET® Power MOSFET is purpose-built for automotive applications, utilizing advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. With a 175°C junction operating temperature, fast switching speed, and improved repetitive avalanche rating, this design offers exceptional efficiency and reliability for automotive applications and a wide variety of other applications.

機能

  • Advanced Process Technology
  • Ultra Low On-Resistance
  • 175°C Operating Temperature
  • Fast Switching
  • Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
  • Lead-Free, RoHS Compliant
  • Automotive Qualified

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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