AIMBG120R010M1 インフィニオン車載用 1200V CoolSiC™ Trench MOSFET、TO263-7パッケージ

概要

インフィニオンの性能最適化チップ技術 (Gen1p) により、SiC MOSFETは最高クラスのスイッチング特性、寄生ターンオンに対する堅牢性、RDSon と Rth(j-c) の低減を実現しています。高電力密度、優れた効率、双方向充電機能、システムコストの大幅な削減を実現しており、オンボードチャージャーやDCDCアプリケーションに最適な選択肢となっています。

特長

  • 革新的な半導体素材: シリコンカーバイド (SiC )
  • きわめて低いスイッチング損失
  • 閾値のないオンステート特性
  • 0Vターンオフゲート電圧
  • ベンチマークゲートしきい値電圧、VGS(th)=4.5V
  • 全範囲で制御可能なdv/dt
  • 同期整流に対応した堅牢な還流ボディダイオード
  • 温度に依存しないターンオフスイッチング損失
  • 最適化されたスイッチング性能のためのセンスピン
  • HV沿面絶縁要件に対応
  • .XT実装技術でクラス最高の放熱性を実現

利点

  • 高いエネルギー効率
  • 高周波駆動
  • 高電力密度
  • 冷却設計の労力を軽減
  • システムの簡素化とコストを削減

推奨アプリケーション例

  • オンボードチャージャー (OBC)
  • DC-DCコンバータ
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