2ED1323S12P アクティブミラークランプ (AMC)、短絡クランプ (SCC) を備えた1200 Vハイサイド/ローサイド ゲートドライバーIC
概要
EiceDRIVER™ 1200 Vハイサイド/ローサイドゲートドライバーICは、ソース電流2.3 A、シンク電流2.3 Aで、1200 V SiC MOSFETおよびIGBTパワーデバイス向けに十分な沿面距離、クリアランス距離DSO-20 (300 mils) を取ったパッケージです。2ED1323S12Pは、アクティブ ミラークランプ (AMC) とショート サーキット クランプ (SCC) に対応しており、十分な沿面距離とクリアランスのDSO-20パッケージで最高クラスのスイッチング性能を発揮します。SOI技術を使用しており、過渡電圧に対する優れた耐久性を備えています。本デバイスには寄生サイリスタ構造がないため、動作温度と電圧範囲にわたって寄生ラッチアップに対して非常に堅牢な設計となっています。
特長
- インフィニオン独自の1200 V 薄膜SOI (シリコンオンインシュレータ) 技術
- ブートストラップ方式のフローティング チャネル
- 最大ブートストラップ電圧 (VBノード) 1225 V
- 最大動作電圧 (VSノード) + 1200 V
- 700 nsの繰り返しパルスで100 Vの負のVS過渡電圧耐量
- 2.3 A / 4.6 A ピーク出力ソース/シンク電流容量
- 超高速過電流保護回路 (OCP) を内蔵
- ± 5%の高精度参照閾値
- 1 us未満でシャットダウン
- シンク電流容量 2 Aアクティブミラークランプ (AMC) 内蔵
- 短絡クランプ (SCC) 機能内蔵
- 超高速、低抵抗のブートストラップ内蔵
- デッドタイム保護回路、シュートスルー保護回路を内蔵
- イネーブル、フォルト、プログラマブル フォルトクリア RFE入力
- VS端子-8 Vまでロジック動作可能
- 独立した低電圧ロックアウト (UVLO)
- 25 VCC電源電圧 (最大)
- ロジック (VSS) と出力グランド (COM) を分離
- 300mils幅のボディで5mm以上のクリアランス/クリープを確保
- 2 kV HBM ESD耐量
利点
- 1200 V 大電流対応 (2.3 A/2.3 A) ブートストラップダイオードを内蔵し、小型フットプリントでBOMコストを削減、よりシンプルな設計でPCB面積を低減し
- コストを削減します。
- 1200 VのIGBT/SiCベースのPIM、ディスクリート スイッチ用に設計の柔軟性を備えた最適化されたゲートドライバソリューション。
- 100 Vの負のVSで信頼性、堅牢性アップ
- レベルシフト損失を50％低減し、低温動作と高信頼性を実現
- アクティブミラークランプは、パワーデバイス全体、特に低閾値デバイス (SiCなど) のスイッチング性能を非常に安定させます
- 短絡クランプは短絡時に電圧の上昇を抑制
- ラッチアップ耐性により信頼性向上
- 高速 / 高精度な過電流保護機能を搭載し、スイッチを保護しながら、ディスクリート構成のオペアンプ部品と比較してスペースとコストを削減
- 低電圧ロックアウト機能により、低電源電圧時の保護が可能
- DSO-20パッケージによる十分な沿面距離とクリアランス
図
トレーニング
サポート
