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IRHNA57163SE

データシート
パッケージ

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IRHNA57163SE
IRHNA57163SE
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    62 A
  • ID (@25°C) max
    75 A
  • QG
    160 nC
  • QPL型番
    2N7472U2
  • RDS (on) (@25°C) max
    13.5 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    130 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 standard
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 standard
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHNA57163SE R5 N-channel MOSFET is a compact COTS device designed specifically for space applications. With its rad hard, 130V, 62A features, it offers electrical performance up to 100Krad(Si) TID. Its low gate charge and RDS(on) are perfect for DC-to-DC converters and motor control, while still offering MOSFET features like voltage control, fast switching, and temperature stability.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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