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IRHMB57260SE

データシート
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IRHMB57260SE
IRHMB57260SE
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    29 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    165 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    44 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Tabless Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA TABLESS LOW OHMIC
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA TABLESS LOW OHMIC
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHMB57260SE has R5 technology and is rad hard, with a 60V, 45A rating. It comes in a TO-254AA tabless low ohmic package with electrical performance up to 100krad(Si) TID. The device features low RDS(on), low gate charge, and fast switching, making it ideal for space applications. It retains the established advantages of MOSFETs like voltage control, ease of paralleling, and temperature stability.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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