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IRHLMS77064

データシート
パッケージ

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IRHLMS77064
IRHLMS77064
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    162 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    12 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IR R7 MOSFET is a single N-channel device with a TO-254AA low ohmic package designed for use in rad hard environments. It can handle 60V and 45A while maintaining single event gate rupture and burnout immunity. With electrical performance up to 100krad(Si) TID classification, it provides a simple solution for interfacing CMOS and TTL control circuits to power devices in space and other radiation environments.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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