S25FL256LDPMFB003
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S25FL256LDPMFB003

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S25FL256LDPMFB003
S25FL256LDPMFB003

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2032
  • Density
    256 MBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / 66
  • インターフェース帯域幅
    66 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FL-L
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~105 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V~3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Automotive
OPN
S25FL256LDPMFB003
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SOIC-16 (002-15547)
梱包サイズ 1450
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SOIC-16 (002-15547)
梱包サイズ 1450
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
S25FL256LDPMFB003は256 Mb(32 MB)のFL-Lシリーズフラッシュメモリで、65 nmフローティングゲート技術とSPIマルチI/O(シングル、デュアル、クアッド、QPIモード)をサポートします。動作電圧2.7 V~3.6 V、温度範囲-40°C~125°C、DDRクアッドリード最大66 MBps。高度なセキュリティ領域、個別ブロック保護、10万回以上のプログラム/消去サイクル。コンパクトなパッケージは組込み、車載、産業用途に最適です。

特長

  • SPIマルチI/Oインターフェース
  • 65nmフローティングゲート技術
  • 256バイトページプログラムバッファ
  • 4 KB/32 KB/64KB一括消去
  • プログラム/消去サスペンド対応
  • 10万回書込/消去サイクル
  • 20年データ保持
  • セキュリティ領域OTPロック
  • ディープパワーダウンモード
  • 2.7 V~3.6V電源電圧
  • -40°C~+125°C動作温度
  • DDRクワッドI/O

利点

  • 柔軟な高速アクセス
  • 長期利用の高信頼性
  • ページバッファで高速書込
  • 多様な消去で柔軟運用
  • サスペンドでマルチタスク
  • 高耐久で厳しい用途対応
  • 長期データ保持
  • セキュリティ領域で改ざん防止
  • DPDで省電力・データ保護
  • 広い電圧範囲で設計容易
  • 過酷環境でも動作
  • DDRクワッドI/Oで高速読出

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ