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IRHYB67134CM

データシート
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IRHYB67134CM
IRHYB67134CM
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) max
    12 A
  • ID (@25°C) max
    19 A
  • QG
    50 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    90 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    150 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Tabless Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IRHYB67134CM R6 N-channel MOSFET is a single radiation hardened device with a maximum voltage of 150V and a maximum current of 19A. This COTS device offers electrical performance of up to 100krad(Si) TID. Housed in a TO-257AA tabless low ohmic package, this rad hard MOSFET is ideal for space and radiation-sensitive applications. Its low RDS(on) and low gate charge ensure high efficiency in switching applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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