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生産終了
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RoHS準拠
鉛フリー

IRFB4710

生産終了
100V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
データシート
パッケージ

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IRFB4710
IRFB4710
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    75 A
  • Ptot max
    200 W
  • Qgd
    40 nC
  • QG (typ @10V)
    110 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    14 mΩ
  • RthJC max
    0.75 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    4.5 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    1
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IRFB4710PBF
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

機能

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100kHz
  • Industry standard through-hole power package
  • High-current rating

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability from distribution partners
  • Industry standard qualification
  • High performance in low frequency applications
  • Standard pin-out allows for drop-in replacement
  • High current capability

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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