Active and preferred
RoHS準拠

IQE031N08LM6CGSC

OptiMOS™ 6 power MOSFET 80 V logic level in PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate DSC package with industry leading RDS(on)
データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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IQE031N08LM6CGSC
IQE031N08LM6CGSC
EA.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    127 A
  • IDpuls (最大)
    508 A
  • QG (typ @4.5V)
    26 nC
  • QG (typ @10V)
    54 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3.15 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    4 mΩ
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) (範囲)
    1.1 V ～ 2.3 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level, Center Gate Dual Side Cooling
推奨
OPN
IQE031N08LM6CGSCATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-WHTFN-9
パッケージ名 N/A
包装サイズ 6000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-WHTFN-9
パッケージ名 -
包装サイズ 6000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
IQE031N08LM6CGSC is Infineon’s new best-in-class OptiMOS™ 6 power MOSFET 80 V logic level in PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate (CG) dual-side cooling (DSC) package, offering the industry’s lowest on-state resistance RDS(on) at 25˚C , superior thermal performance, and optimized parallelization.

特長

  • Logic level allows lower Qrr and QOSS
  • Center Gate optimized for paralleling
  • Up to 35% lower RDS(on) vs previous Gen
  • New, optimized layout possibilities

利点

  • Enables highest power density & performance
  • Superior thermal performance
  • Efficient layout for space use
  • Simplified MOSFET parallelization
  • Improved PCB losses

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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