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代替品
終息
生産中止
RoHS準拠

IGT60R042D1

終息
600 V CoolGaN™ e-mode power transistor for high power applications in bottom side cooled power package
データシート
パッケージ
ボード
代替品

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IGT60R042D1
IGT60R042D1
代替品
データシート

Product details

  • Generation
    ≤ G3
  • ID (@ TA=25°C) max
    23 A
  • IDpuls (@25°C) max
    90 A
  • QG
    8.8 nC
  • RDS (on) (typ)
    35 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • Mounting
    SMT
OPN
IGT60R042D1ATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 N/A
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 -
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
代替品
The IGT60R042D1 enables more compact topologies and increased efficiency at higher frequency operation. It is certified through an extensive GaN-specific qualification process, exceeding industry standards. Housed in the bottom-side cooled HSOF-8 package, it is designed optimal power dissipation required in modern data centers, server , telecom , renewables and numerous other applications.

機能

  • E-mode HEMT – normally OFF
  • Ultrafast switching
  • No reverse-recovery charge
  • Capable of reverse conduction
  • Low gate charge, low output charge
  • Superior commutation ruggedness
  • JEDEC qualified (JESD47, JESD22)
  • Low dynamic RDS(on)
  • Bottom-side cooled

利点

  • Improves system efficiency
  • Improves power density
  • Enables higher operating frequency
  • System cost reduction savings
  • Reduces EMI

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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