CY7C1041GN30-10ZSXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1041GN30-10ZSXI

High-Density 4 Mbit Parallel FAST SRAM with Industrial Qualification and Reliable Performance
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY7C1041GN30-10ZSXI
CY7C1041GN30-10ZSXI
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    10 ns
推奨
OPN
CY7C1041GN30-10ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1350
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1350
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY7C1041GN30-10ZSXIは4 Mbit（256K×16）の非同期CMOS高速SRAMで、2.2 V～3.6 Vの産業用システム（-40°C～+85°C）向けです。10 nsのアドレスアクセス時間tAAに対応し、BLE/BHEでバイト単位の読書きが可能です。VCC 2.7 V～3.6 VでTTL互換I/OはVOH≥2.4 V、VOL≤0.4 Vを規定。電流仕様はfMAXでICC最大45 mA、CMOSスタンバイISB2最大8 mA。Pbフリー44ピンTSOP IIで提供。

特長

  • 4 Mbit SRAM、256K×16
  • tAAアクセス10 ns/15 ns
  • 18ビットアドレスA0-A17
  • 16ビットI/O I/O0-I/O15
  • BHE/BLEでバイト書込み
  • CE/OEで読出し・Hi-Z
  • 1.0 Vまでデータ保持
  • VDR=1 Vデータ保持
  • tRC読出し周期10/15 ns
  • tDOE OE→データ4.5/8 ns
  • 待機電流ISB2 6 mA typ
  • 入出力リーク±1 µA

利点

  • 10 ns高速アクセスで低遅延
  • 16ビットでスループット向上
  • バイト書込みで転送量削減
  • Hi-Zでバス共有が容易
  • 1.0 V保持でデータ保護
  • 複数VCCで電源に適合
  • 低待機電流で省電力
  • 低リークで低消費電力化
  • CE/OE/WE制御が簡単
  • OE応答が速く読出し高速
  • 10/15 ns周期で設計容易
  • 安定レベルで接続が簡単
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ