Active and preferred
RoHS準拠

CY15B064Q-SXAT

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CY15B064Q-SXAT
CY15B064Q-SXAT
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    64 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    3 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    3 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    16 MHz
  • 組織 (X x Y)
    8Kb x 8
  • 認定
    Automotive(A)
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
CY15B064Q-SXAT
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY15B064Q-SXATは64 Kbit（8K × 8）車載グレードのシリアルF-RAMで、100兆回の読み書きと65°Cで151年のデータ保持を実現します。動作電圧は2.7 V～3.65 V、最大20 MHzのSPIインターフェースとNoDelay™による即時書き込み対応。ハードウェア・ソフトウェアの書き込み保護、低消費電力（1 MHz時200 μA、待機時3 μA）、8ピンSOICパッケージで、高頻度書き込み・高信頼性の車載および産業用途に最適です。

特長

  • 64-Kbit F-RAM、8K×8構成
  • 100兆回の読書き耐久性
  • 65°Cで151年のデータ保持
  • NoDelay™リアルタイム書込
  • 最大20 MHzのSPIインターフェース
  • 低消費電力：200 μA動作、3 μA待機
  • VDD動作範囲2.7 V～3.65 V
  • 多層ハード/ソフト書込保護
  • 1/4・1/2・全域ブロック保護
  • 入出力ヒステリシス耐ノイズ
  • 動作温度-40°C～+85°C
  • シリアルフラッシュ/EEPROM代替

利点

  • 頻繁なデータ記録も信頼保存
  • 書込遅延なく即時更新
  • 厳しい車載環境にも対応
  • 待機時の消費電力を低減
  • 高度な書込保護でデータ安全
  • 柔軟な重要データ保護
  • SPIで簡単に統合可能
  • 長期データ保持で保守軽減
  • 置き換えでアップグレード容易
  • 高耐久でコスト低減
  • ノイズ下でも安定動作
  • 幅広い組込設計に対応

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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