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RoHS準拠
鉛フリー

BAT15-099

EA.
在庫あり

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BAT15-099
BAT15-099
EA.

Product details

  • C @VR=0V
    0.29 pF
  • IF max
    110 mA
  • VF
    0.25 V
  • VR max
    4 V
  • Configuration
    Anti-parallel pair
OPN
BAT15099E6327HTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ SOT143-4-1
パッケージ名 N/A
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ SOT143-4-1
パッケージ名 -
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
This Infineon RF Schottky diode is silicon low barrier N-type device with an integrated guard ring on-chip for over-voltage protection. Its low barrier height, low forward voltage and low junction capacitance make BAT15-099 a suitable choice for mixer and detector functions in applications which frequencies are as high as 12 GHz.

機能

  • Low inductance Ls = 2 nH (typical)
  • Low capacitance C = 0.29 pF (typical) at 1 MHz
  • Industry standard SOT143 package (2.9 mm x 2.4 mm x 1 mm)
  • Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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