インフィニオンは「パワーデバイス&モジュールEXPO」に出展します。

人工知能 (AI) アプリケーションの急速な進歩により、データセンターのエネルギー需要は大幅に増加しています。これにより、環境への責任を維持しながら、AIテクノロジーのスケーラビリティを向上させるという最重要課題に直面しています。

本展示会では、この課題に対処するためのインフィニオン ソリューションを幅広く出展します。

また、「パワーデバイス&モジュールEXPO 特別講演」にも登壇します。
お見逃しなく!

ご来場には事前登録が必要です

ご来場の際、公式サイトからの事前登録が必要です。
ご登録はこちから行ってください。
※18歳未満の方は、ご登録いただけません。

パワーデバイス&モジュールEXPO 2026年1月
tokyo, japan
January 21, 2026 - January 23, 2026
10:00 - 17:00 ( JST )

イベント概要

2026年1月21日(水)~1月23日(金) 10:00-17:00
東京ビッグサイト 東7ホール
公式サイト

インフィニオン ブース:小間番号 E33-52

共同出展パートナー

  • 株式会社マクニカ テクスター カンパニー
  • 株式会社ネクスティ エレクトロニクス ネクスティ アドバンスド テクノロジー カンパニー
  • 東京エレクトロン デバイス株式会社
  • 丸文株式会社
Tatsuya Urakawa - Infineon Technologies Japan
Tatsuya Urakawa - Infineon Technologies Japan
Tatsuya Urakawa - Infineon Technologies Japan

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン株式会社
コンシューマー、コンピューティング&コミュニケーション事業本部 テクニカル マーケティング部
シニア ディレクター 浦川 辰也

2026年01月23日 (金) 12:30 ~13:40

生成AIの普及によりデータセンターの電力需要が急増しています。本講演では、1 MW級のラック対応に向けた高電圧直流給電 (HVDC) の最新情報や、次世代技術のSST (半導体変圧器)、SSCB (半導体遮断器) など、進化する電力供給モデルについてご紹介します。

本セミナーの受講には事前登録が必要です。
事前登録はこちからから行ってください。

  • 新SiC JFETを使用したSSCB (ソリッド ステート サーキット ブレイカー) ソリューション
  • 直流1500 Vグリッドに対応可能 XHP™ 2  2.3kW SiC
  • 最新IGBTモジュール Easy Cシリーズ
  • 最新パワー モジュール ソリューションおよびPress Pack IGBT
  • 世界初の300 mm GaN ウェハー
  • AIデータセンター&サーバー向け 12kW PSU リファレンス デザイン
  • 高耐圧CoolGaN™ Bidirectional Switch搭載 単相ストリング インバーター用 3 kW DC-ACボード
  • 高耐圧CoolGaN™ Bidirectional Switch搭載 13 kW ViennaトポロジーPSU評価ボード
  • 低耐圧CoolGaN™ Bidirectional Switch、ドライバーおよび周辺部品を搭載した評価キット
  • 100 V CoolGaN™トランジスタ搭載のクラスDオーディオ リファレンス ボード
  • PSOC™ Control C3 MCU + CoolGaN™デュアル モーター デモ
  • 22 kW Single Stage OBC リファレンス デザイン