新規設計は非推奨
RoHS準拠

IRFB7546

60V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IRFB7546
IRFB7546
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    75 A
  • Ptot max
    99 W
  • Qgd
    18 nC
  • QG (typ @10V)
    58 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    7.3 mΩ
  • RthJC max
    1.52 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    2.9 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    0.31
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IRFB7546PBF
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. End-applications include cordless power and gardening tools, light electric vehicles and e-bikes demanding a high level of ruggedness and energy efficiency.

機能

  • High-currentrating
  • Product qual. acc. to JEDEC standard
  • Silicon optimized for switching <100 kHz
  • Softer body-diode vs prev silicon gen
  • Industry std through-hole power package
  • Broadest availability at distr partners

利点

  • High current carrying capability
  • Reliable, industry-tested products.
  • High performance, low-frequency
  • Increased power density
  • Drop-in replacement with standard pinout
  • Wide distribution availability

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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