絶縁型ゲートドライバIC SiC MOSFET、GaN HEMT、MOSFET、IGBT用の堅牢かつ強力で高精度なシングル/デュアル チャンネル絶縁型ゲートドライバーICです。
EiceDRIVER™絶縁型ゲート ドライバーは、高い性能や堅牢性が求められるアプリケーション向けに設計されています。例えば、ソーラーインバーター、EVチャージャー、産業用インバータ制御、自動車、ESS、UPS、サーバー、テレコムSMPSなどが挙げられます。
絶縁型ゲートドライバーは、最大18 Aの出力電流、短い伝搬遅延と遅延マッチング (7 ns)、高いコモンモード過渡耐性 CMTI 300 kV/μs 、幅広いゲート電圧 (40 V) により、負電圧でのバイポーラ電源を実現できます。最先端のSiC MOSFETやGaNスイッチに最適です。
EiceDRIVER™ CompactとEnhancedファミリーは、最も注目に値する絶縁型ゲートドライバーファミリ-の一つです。EiceDRIVER™ Compactは設計が簡単で、DSO-8のような小型パッケージで2レベルのスルーレート制御とミラークランプ機能を持つシンプルな絶縁型ゲートドライバーです。EiceDRIVER™ Enhancedは、短絡保護 (DESAT) とソフトオフ、ミラー クランプ、迅速な初期設計と状態モニタリングのための複数のパラメータをI2Cで設定、予知保全を可能にするなどの先進機能を備えています。
EiceDRIVER™ 絶縁型ゲートドライバーは、磁気結合コアレス トランス (CT) 技術を使用しており、ガルバニック絶縁をまたぎ信号伝達を行います。このCT技術により、機能絶縁、基礎絶縁、強化絶縁、UL 1577 (VISO = 5.7 kV) とVDE 0884-11 (VIORM = 1767 V) 認証製品を提供しています。機能絶縁は最大2300 Vに達し、2 kVのCoolSiC™をDC1500 Vで使用する場合に最適です。
高度な保護機能
- 高精度な非飽和電圧検出回路 (DESAT)による短絡保護機能 (電流源とコンパレータ) により、短絡時のパワースイッチ破損を防止
- 短絡電流保護用のソフトオフ機能により、短絡時のコレクタエミッタ間電圧のオーバーシュートを低減
- 短絡時のゲート電圧上昇を制限する短絡クランプ回路を内蔵
- アクティブ ミラー クランプにより、高いdV/dtによる寄生ターンオンを回避
主な特長 | 主な利点 |
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Certificates
Part Numbers | UL 1577 (Vrms) | VED0884-11 Reinforced |
EN 60950-1* |
EN 62368-1 | EN 61010-1 | GB4943.1 | |||||
2250 | 2500 | 3000 | 5700 | Basic | Reinforced | Basic | Reinforced | ||||
2EDS8165H | √ | √ | √ | √ | √ | ||||||
2EDS8265H | √ | √ | √ | √ | √ | ||||||
2EDS9265H | |||||||||||
2EDF7275F | |||||||||||
2EDF7175F | |||||||||||
2EDF9275F | |||||||||||
2EDF7275K | |||||||||||
2EDF7235K | |||||||||||
2EDR8259H | √ | √ | √ | √ | |||||||
2EDR7259X | √ | √ | √ | √ | |||||||
2EDR8259X | √ | √ | √ | √ | |||||||
2EDR9259X | √ | √ | √ | √ | |||||||
2EDB8259F | √ | ||||||||||
2EDB7259Y | √ | ||||||||||
2EDB8259Y | √ | ||||||||||
2EDB8259Y | √ | ||||||||||
2EDB7259K | √ | √ | √ | ||||||||
2EDB8259K | √ | √ | √ | ||||||||
2EDB7259A | √ | √ | √ | ||||||||
2EDB8259A | √ | √ | √ |
Part Number | UL 1577 (Vrms) | VDE0884-11 | |
3000 | 5700 | Reinforced | |
1ED3120MC12H | √ | √ | |
1ED3121MC12H | √ | √ | |
1ED3122MC12H | √ | √ | |
1ED3123MC12H | √ | √ | |
1ED3124MC12H | √ | √ | |
1ED3131MC12H | √ | √ | |
1ED3431MC12M | √ | √ | |
1ED3461MC12M | √ | √ | |
1ED3491MC12M | √ | √ | |
1ED3830MC12M | √ | √ | |
1ED3860MC12M | √ | √ | |
1ED3890MC12M | √ | √ | |
1ED3120MU12H | √ | ||
1ED3121MU12H | √ | ||
1ED3122MU12H | √ | ||
1ED3123MU12H | √ | ||
1ED3124MU12H | √ | ||
1ED3131MU12H | √ | ||
1ED3431MU12M | √ | ||
1ED3461MU12M | √ | ||
1ED3491MU12M | √ | ||
1ED3830MU12M | √ | ||
1ED3860MU12M | √ | ||
1ED3890MU12M | √ | ||
1ED3124MU12F | √ | ||
1ED3125MU12F | √ | ||
1ED3240MC12H | √ | √ | |
1ED3241MC12H | √ | √ | |
1ED3250MC12H | √ | √ | |
1ED3251MC12H | √ | √ | |
1ED3320MC12N | √ | √ | |
1ED3321MC12N | √ | √ | |
1ED3322MC12N | √ | √ | |
1ED3323MC12N | √ | √ | |
1ED3140MU12F | √ | ||
1ED3141MU12F | √ | ||
1ED3142MU12F | √ | ||
1ED3127MU12F | √ |
Part Numbers |
UL 1577 (Vrms) | VDE0884-11 Reinforced | ||
2500 | 3000 | 5700 | ||
1ED020I12FA2 | √ | |||
2ED020I12FA | √ | |||
1ED020I12FTA | √ | |||
1EDI2001AS | √ | |||
1EDI2002AS | √ | |||
1EDI2010AS | √ | |||
1EDI2003AS | √ | |||
1EDI2004AS | √ | |||
1EDI3020AS | √ | √ (pending) | ||
1EDI3021AS | √ | √ (pending) | ||
1EDI3023AS | √ | √ (pending) | ||
1EDI3030AS | √ | √ (pending) | ||
1EDI3031AS | √ | √ (pending) | ||
1EDI3033AS | √ | √ (pending) | ||
1EDI3050AS | √ | √ (planned) | ||
1EDI3051AS | √ | √ (planned) | ||
1EDI3025AS | √ | √ (planned) | ||
1EDI3035AS | √ | √ (planned) | ||
1EDI3040AS | √ | √ (planned) |
詳細は、製品グループを選択してご覧ください。
Key takeaways:
- Understand why a reinforced isolation barrier is needed in SMPS
- Learn about Infineon patented coreless transformer technology
- Learn about isolation robustness of Infineon´s galvanically isolated gate driver ICs after EOS in the power stage
Every switch needs a driver, and the right driver makes a difference.
Infineon offers different isoalted gate driver families, such as the EiceDRIVER™ Compact and the EiceDRIVER™ Enhanced. Each family has different features to protect the switch and application.
The EiceDRIVER™ isolated gate driver offers advanced features such as reinforced isolation, Miller clamp, slew rate control and short circuit protection to protect the switch and application. It also enables condition monitoring and rapid prototyping.
The EiceDRIVER™ is the perfect fit for industrial application, particular in combination with Infineon CoolSiC™ and IGBT switches.
- EiceDRIVER™ 1ED Compact now including X3 Compact family (1ED31xx), with up to 14 A output current, 200 kV/µs CMTI
- Show system benefit of Miller clamp, separate output, active shutdown, short circuit clamping, 7-ns prop. delay matching
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, SMPS
- EiceDRIVER™ isolated gate driver family use the state-of-the-art coreless transformer (CT) isolation technology
- The CT based isolated gate driver offers higher current, lower power consumption, better CMTI and best in class propagation delay matching
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc
- The EiceDRIVER™ X3 Compact family (1ED31xx), with up to 14 A output current, 2300 V functional isolation, 200 kV/µs CMTI
- Show system benefit of Miller clamp, separate output, active shutdown, short circuit clamping, 7-ns prop. delay matching
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, SMPS
- The new EiceDRIVER™ X3 Digital family (1ED38xx), with I2C-configurability for DESAT, Soft-Off, UVLO, Miller clamp, two level turn off (TLTO).
- Up to 9 A output current, 200 kV/µs CMTI, 30 ns Max. propagation delay matching, 40 V Max output supply voltage.
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc.
- The EiceDRIVER™ Enhanced X3 Analog family (1ED34xx), with DESAT (adjustable filter time), Miller Clamp, soft-off (adjustable current)
- Up to 9 A output current, 200 kV/µs CMTI, 30 ns Max. propagation delay matching, 40 V Max output supply voltage.
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc.
このトレーニングでは、IGBTアプリケーション向けゲート抵抗値の算出法、ピーク電流と電力損失要件に適したゲートドライバICの識別法、最悪条件の試験環境下でのゲート抵抗値の微調整法を学びます。
The EiceDRIVER™ Enhanced F3 family (1ED332x), with DESAT, Miller Clamp, soft-off up to 8.5 A output current, 300 kV/µs CMTI, 15 ns Max. propagation delay matching and 40 V Max output supply voltage.
Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc.