これはサポート終了製品であることに注意してください。 新しい代替製品バージョンを見る これはサポート終了製品であることに注意してください。 新しい代替製品バージョンを見る
代替品
生産終了
生産終了
RoHS準拠

IGT60R190D1

生産終了
Gallium nitride CoolGaN™ 600V e-mode power transistor IGT60R190D1 for ultimate efficiency and reliability

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

Product details

  • ID (@ TA=25°C) max
    12 A
  • IDpuls (@25°C) max
    23 A
  • QG
    3.2 nC
  • RDS (on) (typ)
    140 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • 環境規制対応
    RoHS compliant, Halogen free
  • 製品名
    IGT60R190D1
OPN
IGT60R190D1ATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 N/A
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 -
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IGT60R190D1 enables more compact topologies and increased efficiency at higher frequency operation. It is certified through an extensive GaN-specific qualification process, exceeding industry standards. Housed in the bottom-side cooled HSOF-8 (TO-leadless) package, it is designed for optimal power dissipation required in modern data centers, server , telecom , renewables and numerous other applications.

機能

  • E-mode HEMT – normally OFF
  • Ultrafast switching
  • No reverse-recovery charge
  • Capable of reverse conduction
  • Low gate charge, low output charge
  • Superior commutation ruggedness
  • JEDEC qualified (JESD47, JESD22)
  • Low dynamic RDS(on)
  • Bottom-side cooled

利点

  • Improves system efficiency
  • Improves power density
  • Enables higher operating frequency
  • System cost reduction savings
  • Reduces EMI

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }