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IRHF9130

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パッケージ

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IRHF9130
IRHF9130
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) max
    -4.1 A
  • ID (@25°C) max
    -6.5 A
  • QG
    45 nC
  • QPL型番
    2N7389
  • RDS (on) (@25°C) max
    300 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • VF max
    -3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    P
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHF9130 is a R4, rad hard, -100V, -6.5A, single, P-channel MOSFET in a TO-205AF package. It features low RDS(on) and low gate charge, which reduces power loss in DC-DC converters and motor controllers. With electrical performance up to 100krad(Si) TID, these MOSFETs are reliable for space applications while retaining MOSFET advantages such as voltage control and temperature stability.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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