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600 V CoolMOS™ G7

600 V CoolMOS™ C7 ゴールド (G7)

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概要

インフィニオンテクノロジーズは、底面冷却TO-Leadless(TOLL)を備えた表面実装デバイス(SMD)に600V CoolMOS™ C7ゴールド(G7)技術を導入しました。 600V CoolMOS™ G7ファミリーは、インフィニオンの最新の上面冷却パッケージのイノベーションであるDouble DPAK(DDPAK)パッケージでも提供されます。 CoolMOS™ G7は、改良された600V CoolMOS™ C7テクノロジー、4ピンケルビンソース機能、およびTO-LeadlessおよびDDPAKパッケージの改善された熱特性の利点を初めて組み合わせて、最大3kWの力率改善(PFC)などの大電流ハードスイッチングトポロジーや、ハイエンドLLCなどの共振回路用の600V CoolMOS™ G7向けのSMDソリューションを可能にします。

主な機能

  • ベスト R DS(on) x E oss および R DS(on) x Q g
  • 最小フットプリント R DS(on)
  • <>Kelvin ソース/ローソース (~1 nH)
  • 簡単な目視検査リード線

製品

概要

600 V CoolMOS™ G7テクノロジー、TO-LeadlessおよびDDPAKパッケージ

600 V G7: 115 mm²のトールフットプリントでクラス最高の28 mΩによる電力密度。 TOLLパッケージは使いやすく、最高の品質基準を備えています。 堅牢なダイアタッチプロセスを特長としているため、パッケージの信頼性が向上するだけでなく、熱も改善されているため、SMD TOLLパッケージを以前よりも大電流設計で使用できます。

600 V CoolMOS™ G7 (SJ) MOSFET による効率と密度の向上

TOパッケージを置き換える(高さ制限)、または熱またはRDS(on)要件でSMDパッケージを並列化することにより、小さなフットプリントでRDS(on)が低く、電力密度が向上します。 組み立て時間の短縮によるSMDへの移行による生産コストの削減。 ケルビンソース構成と低寄生インダクタンス(~1nH)。 溝付きピンを提供することで目視検査が容易になります。

より高速なスイッチングと設計の改善のための革新的な技術

CoolMOS™ G7は、最も低い寄生パッケージのいくつかに当社の最先端の CoolMOS™ ファミリー(C7)を収容しています。出力容量が数十ピコファラッド(前世代に比べて約80%減少)で、ゲート容量も同様に低減されているため、スイッチング周波数を高く使用するハードスイッチングトポロジーとソフトスイッチングトポロジーの両方で最速のデバイスの1つです。 1kWを超えるPFC設計では、0.5%以上の効率向上が実証されています。

600 V CoolMOS™ G7テクノロジー、TO-LeadlessおよびDDPAKパッケージ

600 V G7: 115 mm²のトールフットプリントでクラス最高の28 mΩによる電力密度。 TOLLパッケージは使いやすく、最高の品質基準を備えています。 堅牢なダイアタッチプロセスを特長としているため、パッケージの信頼性が向上するだけでなく、熱も改善されているため、SMD TOLLパッケージを以前よりも大電流設計で使用できます。

600 V CoolMOS™ G7 (SJ) MOSFET による効率と密度の向上

TOパッケージを置き換える(高さ制限)、または熱またはRDS(on)要件でSMDパッケージを並列化することにより、小さなフットプリントでRDS(on)が低く、電力密度が向上します。 組み立て時間の短縮によるSMDへの移行による生産コストの削減。 ケルビンソース構成と低寄生インダクタンス(~1nH)。 溝付きピンを提供することで目視検査が容易になります。

より高速なスイッチングと設計の改善のための革新的な技術

CoolMOS™ G7は、最も低い寄生パッケージのいくつかに当社の最先端の CoolMOS™ ファミリー(C7)を収容しています。出力容量が数十ピコファラッド(前世代に比べて約80%減少)で、ゲート容量も同様に低減されているため、スイッチング周波数を高く使用するハードスイッチングトポロジーとソフトスイッチングトポロジーの両方で最速のデバイスの1つです。 1kWを超えるPFC設計では、0.5%以上の効率向上が実証されています。

ドキュメント

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開発者コミュニティ

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