IRL8114

IRL8114

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package

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IRL8114
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    120 A
  • Ptot (最大)
    115 W
  • Qgd
    6.7 nC
  • QG (typ @4.5V)
    19 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    4.5 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    5.8 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.3 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) 範囲
    1.35 V~2.25 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:

利点

  • Low RDS(on) at 4.5V VGS
  • Low Gate Charge
  • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
  • Lead-Free

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ