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IRHY57130CM

データシート
パッケージ

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IRHY57130CM
IRHY57130CM
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    14 A
  • ID (@25°C) max
    18 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7484T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    85 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA STANDARD
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA STANDARD
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IRHY57130CM R5 N-channel MOSFET is a radiation-hardened device with a voltage rating of 100V and a current rating of 18A. It comes in a TO-257AA package and has electrical performance up to 100krad(Si) TID. This COTS device offers low RDS(on) and low gate charge to reduce power losses in switching applications. It is ideal for use in space applications, including DC-DC converters and motor control.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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