IRHY57130CM
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IRHY57130CM
IRHY57130CM

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    14 A
  • ID (@25°C) (最大)
    18 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7484T3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    85 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The IRHY57130CM R5 N-channel MOSFET is a radiation-hardened device with a voltage rating of 100V and a current rating of 18A. It comes in a TO-257AA package and has electrical performance up to 100krad(Si) TID. This COTS device offers low RDS(on) and low gate charge to reduce power losses in switching applications. It is ideal for use in space applications, including DC-DC converters and motor control.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ