IRHNS57260SE
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IRHNS57260SE
IRHNS57260SE
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    34 A
  • ID (@25°C) (最大)
    53.5 A
  • QG
    155 nC
  • QPL型番
    2N7473U2A
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    38 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SupIR-SMD
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The IRHNS57260SE R5 N-channel MOSFET is a rad hard device with 200V and 53A capability, ideal for space applications. in a SupIR-SMD package, it has high electrical performance up to 100krad(Si) TID, with low RDS(on) and low gate charge, resulting in reduced power losses. The COTS rad hard MOSFET has fast switching, voltage control, and temperature stability of electrical parameters.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ