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IRHNS57260SE

データシート
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IRHNS57260SE
IRHNS57260SE
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    34 A
  • ID (@25°C) max
    53.5 A
  • QG
    155 nC
  • QPL型番
    2N7473U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    38 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SupIR-SMD
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-SOG-3
パッケージ名 SUPIR SMD
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-SOG-3
パッケージ名 SUPIR SMD
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IRHNS57260SE R5 N-channel MOSFET is a rad hard device with 200V and 53A capability, ideal for space applications. in a SupIR-SMD package, it has high electrical performance up to 100krad(Si) TID, with low RDS(on) and low gate charge, resulting in reduced power losses. The COTS rad hard MOSFET has fast switching, voltage control, and temperature stability of electrical parameters.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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