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IRHNS57260SE

データシート
パッケージ

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IRHNS57260SE
IRHNS57260SE
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    34 A
  • ID (@25°C) max
    53.5 A
  • QG
    155 nC
  • QPL型番
    2N7473U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    38 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SupIR-SMD
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The IRHNS57260SE R5 N-channel MOSFET is a rad hard device with 200V and 53A capability, ideal for space applications. in a SupIR-SMD package, it has high electrical performance up to 100krad(Si) TID, with low RDS(on) and low gate charge, resulting in reduced power losses. The COTS rad hard MOSFET has fast switching, voltage control, and temperature stability of electrical parameters.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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