IRHNPC9A3014
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IRHNPC9A3014
IRHNPC9A3014

製品仕様情報

  • ESDクラス
    1B
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) (最大)
    10 A
  • QG
    11 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    70 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.1
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHNPC9A3014 R9 N-channel MOSFET is a rad hard, 60V, 10A MOSFET in a SMD-0.1 package. It has electrical performance up to 300krad(Si) TID and is COTS classified. This MOSFET provides superior power performance for space applications with improved immunity to SEE and LET up to 88.6 MeV·cm2/mg. Its low RDS(on) and fast switching times make it ideal for DC-DC converters or motor drives in power designs for satellite bus and payload systems.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ