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IRHNPC9A3014

データシート
パッケージ

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IRHNPC9A3014
IRHNPC9A3014
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    1B
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) max
    10 A
  • QG
    11 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    70 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.1
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHNPC9A3014 R9 N-channel MOSFET is a rad hard, 60V, 10A MOSFET in a SMD-0.1 package. It has electrical performance up to 300krad(Si) TID and is COTS classified. This MOSFET provides superior power performance for space applications with improved immunity to SEE and LET up to 88.6 MeV·cm2/mg. Its low RDS(on) and fast switching times make it ideal for DC-DC converters or motor drives in power designs for satellite bus and payload systems.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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