IRHNM593110
新規設計非推奨

IRHNM593110

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHNM593110
IRHNM593110
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1A
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    -2 A
  • ID (@25°C) (最大)
    -3.1 A
  • QG
    11 nC
  • QPL型番
    2N7506U8
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    1200 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • VF (最大)
    -5 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    P
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHNM593110 is a R5, rad hard, -100V, -3.1A, single, P-channel MOSFET in a SMD-0.2 package. It has electrical performance up to 300krad(Si) TID and has low RDS(on) and low gate charge, making it suitable for switching applications such as DC-DC converters and motor controllers, while retaining the advantages of MOSFETs.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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