IRHNJ67130SCSB
Active and preferred
RoHS対応

IRHNJ67130SCSB

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNJ67130SCSB
IRHNJ67130SCSB
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    19 A
  • ID (@25°C) (最大)
    22 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7587U3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    42 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 LF, Au lead finish
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 LF, Au lead finish
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHNJ67130SCSB R6 N-channel MOSFET is a highly reliable, radiation-hardened device designed for space applications. With a 100V rating and 3.4A current capability, this MOSFET features improved immunity to Single Event Effect and is characterized for useful performance with LET up to 90MeV/mg/cm². With low RDS(on) and faster switching times, this MOSFET reduces power loss and increases power density in high-speed switching applications.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ