IRHNJ67130SCSB
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IRHNJ67130SCSB

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IRHNJ67130SCSB
IRHNJ67130SCSB
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    19 A
  • ID (@25°C) (最大)
    22 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7587U3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    42 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHNJ67130SCSB R6 N-channel MOSFET is a highly reliable, radiation-hardened device designed for space applications. With a 100V rating and 3.4A current capability, this MOSFET features improved immunity to Single Event Effect and is characterized for useful performance with LET up to 90MeV/mg/cm². With low RDS(on) and faster switching times, this MOSFET reduces power loss and increases power density in high-speed switching applications.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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