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IRHNJ67130SCSB

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IRHNJ67130SCSB
IRHNJ67130SCSB
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) max
    19 A
  • ID (@25°C) max
    22 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7587U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    42 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD-0.5 LF, Au lead finish
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD-0.5 LF, Au lead finish
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
IRHNJ67130SCSB R6 N-channel MOSFET is a highly reliable, radiation-hardened device designed for space applications. With a 100V rating and 3.4A current capability, this MOSFET features improved immunity to Single Event Effect and is characterized for useful performance with LET up to 90MeV/mg/cm². With low RDS(on) and faster switching times, this MOSFET reduces power loss and increases power density in high-speed switching applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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