IRHNA7360SESCS
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IRHNA7360SESCS

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IRHNA7360SESCS
IRHNA7360SESCS
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    15 A
  • ID (@25°C) (最大)
    24 A
  • QG
    250 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    200 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    400 V
  • VF (最大)
    1.4 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
This N-channel MOSFET is a single, rad hard, 400V, 15A device with electrical performance up to 100krad(Si) TID. IRHNA7360SESCS comes in a SMD-2 package and uses R4 HEXFET technology, making it well suited for space applications needing high-performance power. Its low RDS(on) and gate charge reduces power losses in switching applications, such as DC-DC converters and motor control. Its QIRL screening level ensures quality and reliability.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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