IRHNA53160
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IRHNA53160
IRHNA53160
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    69 A
  • ID (@25°C) (最大)
    75 A
  • QG
    160 nC
  • QPL型番
    2N7469U2
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    12 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHNA53160 R5 rad hard N-channel MOSFET, in the SMD-2 package, is a high performance power MOSFET for space applications. With 100V voltage rating and 69A current handling capacity, this MOSFET has low RDS(on) and low gate charge, reducing power losses in DC-DC converters and motor control applications. It delivers electrical performance up to 300krad(Si) TID and is COTS rated for reliable performance in space missions.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ