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IRHNA53160

データシート
パッケージ

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IRHNA53160
IRHNA53160
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    69 A
  • ID (@25°C) max
    75 A
  • QG
    160 nC
  • QPL型番
    2N7469U2
  • RDS (on) (@25°C) max
    12 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 standard
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 standard
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHNA53160 R5 rad hard N-channel MOSFET, in the SMD-2 package, is a high performance power MOSFET for space applications. With 100V voltage rating and 69A current handling capacity, this MOSFET has low RDS(on) and low gate charge, reducing power losses in DC-DC converters and motor control applications. It delivers electrical performance up to 300krad(Si) TID and is COTS rated for reliable performance in space missions.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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