IRFH4210D

25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package
データシート

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IRFH4210D
IRFH4210D
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) max
    266 A
  • Ptot max
    125 W
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    3.5 W
  • Qgd
    13.2 nC
  • QG (typ @4.5V)
    37 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.1 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    1.35 mΩ
  • RthJC max
    1 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    25 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    PQFN 5 x 6 B
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Schottky (includes Schottky like and FETky)
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • Low RDS(ON) (less than 1.10 mOhms)
  • Schottky Intrinsic Diode with Low Forward Voltage
  • Low Thermal Resistance to PCB (less than 1.0°C/W)
  • Low Profile (less than 0.9 mm)
  • Industry-Standard Pinout
  • Compatible with Existing Surface Mount Techniques
  • RoHS Compliant, Halogen-Free
  • MSL1, Industrial Qualification
  • FastIRFET™

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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