IRF9953
販売終了
RoHS対応
鉛フリー

IRF9953

-30V Dual P-Channel Power MOSFET in a SO-8 package
データシート
パッケージ

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IRF9953
IRF9953
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    -2.3 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2 W
  • Qgd (typ)
    1.1 nC
  • QG (typ @10V)
    6.1 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    250 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    400 mΩ
  • RthJA (最大)
    62.5 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    -30 V
  • VGS(th) (最小)
    -1 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 極性
    P+P
OPN
IRF9953TRPBF
製品ステータス obsolete
インフィニオン パッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス obsolete
インフィニオン パッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

特長

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100KHz
  • Industry standard surface-mount power package

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability from distribution partners
  • Industry standard qualification level
  • High performance in low frequency applications
  • Standard pinout allows for drop-in replacement

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ