IRF8910G

IRF8910G

Halogen Free and Lead Free 20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRF8910G
IRF8910G


製品仕様情報

  • ID (@ TA=25°C) (最大)
    10 A, 10 A
  • ID (@ TA=70°C) (最大)
    8.3 A, 8.3 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2 W
  • Qgd (typ)
    2.5 nC
  • QG
    7.4 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    13.4 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    18.3 mΩ
  • RDS (on) (最大)
    13.4 mΩ
  • RthJA (最大)
    62.5 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    20 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 極性
    N+N, N+N

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

利点

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Low RDS(ON) at 4.5V VGS
  • Ultra-Low Gate Impedance
  • Dual N-Channel MOSFET

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ