IRF8910G

Halogen Free and Lead Free 20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
データシート

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IRF8910G
IRF8910G
データシート

Product details

  • ID (@ TA=25°C) max
    10 A, 10 A
  • ID (@ TA=70°C) max
    8.3 A, 8.3 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2 W
  • Qgd (typ)
    2.5 nC
  • QG
    7.4 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    13.4 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    18.3 mΩ
  • RDS (on) max
    13.4 mΩ
  • RthJA max
    62.5 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    20 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 極性
    N+N, N+N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Low RDS(ON) at 4.5V VGS
  • Ultra-Low Gate Impedance
  • Dual N-Channel MOSFET

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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