IRF3546M

IRF3546M

60A Dual Integrated Power Block. Two Pairs of High Performance Control and Synchronous MOSFETs. 25V Quad N-Channel HEXFET Power MOSFET
データシート

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRF3546M
IRF3546M
データシート

製品仕様情報

  • ID (@ TC=100°C) (最大)
    16 A
  • ID (最大)
    20 A
  • ID (@ TC=70°C) (最大)
    20 A
  • Qgd (typ)
    6 nC
  • QG
    22 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.8 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    2.2 mΩ
  • RDS (on) (最大)
    1.8 mΩ
  • RthJA (最大)
    18.4 K/W
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    Power Block (PQFN 6x8)
  • モイスチャー感度レベル
    3
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:

利点

  • Peak efficiency up to 94% at 1.2V
  • Two pairs of control and synchronous MOSFETs in a single PQFN package
  • Proprietary package minimizes package parasitic and simplifies PCB layout
  • Input voltage (VIN) range of 4.5V to 21V
  • Output current capability of 30A/phase
  • Ultra-low Rg MOSFET technology minimizes switching losses for optimized high frequency performance
  • Synchronous MOSFET with monolithic integrated Schottky diode reduces dead-time and diode reverse recovery losses
  • Efficient dual side cooling
  • Small 6mm x 8 mm x 0.9mm PQFN package
  • Lead-free RoHS compliant package
  • FastIRFET™

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }