IPTG025N15NM6
Active and preferred
RoHS対応

IPTG025N15NM6

OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IPTG025N15NM6
IPTG025N15NM6
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    264 A
  • IDpuls (最大)
    1056 A
  • Ptot (最大)
    395 W
  • QG (typ @10V)
    105 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    2.5 mΩ
  • VDS (最大)
    150 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～4 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • パッケージ
    TOLG (HSOG-8)
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPTG025N15NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HSOG-8
パッケージ名 TOLG
梱包サイズ 1800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HSOG-8
パッケージ名 TOLG
梱包サイズ 1800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり

特長

  • 36% lower RDS(on) than OptiMOS™ 5
  • Industry's lowest Qrr in 150 V
  • Improved diode softness vs OptiMOS™ 5
  • Tight Vgs(th) spread of +/-500 mV
  • High avalanche ruggedness
  • Gullwing leads
  • High current rating
  • Max Tj of 175°C and MSL1

利点

  • Low conduction and switching losses
  • Stable operation with improved EMI
  • Better current sharing when paralleling
  • Superior power handling capability
  • Enhanced robustness
  • Optimized PCB area utilization
  • Improved system reliability
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ