IG1C052N10RCDV
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RoHS対応

IG1C052N10RCDV

Rad hard, 100 V, 52 A, GaN transistor bare die
データシート

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IG1C052N10RCDV
IG1C052N10RCDV
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    Gen 1
  • ID (@25°C) (最大)
    52 A
  • QG
    13 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    6 mΩ
  • TID (最大)
    500 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    3.9 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    500
  • パッケージ
    Die
  • 極性
    N
  • 認定
    Visual inspection
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IR HiRel rad hard GaN transistor technology provides high performance power devices for space applications. These devices have been characterized for both Total Ionizing Dose (TID) and Single Event Effects (SEE). This device, IG1C052N10RCDV, is in a bare die package and has a 100% visual inspection only screening level.

特長

  • Single event effect (SEE) hardened
  • Ultra low RDS(on)
  • Low total gate charge
  • Zero reverse recovery charge
  • Hermetically sealed ceramic package
  • Surface mount
  • Light weight
  • Bare die

アプリケーション

宇宙アプリケーション
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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