IG1C052N10RCDV
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RoHS対応

IG1C052N10RCDV

耐放射線 (RAD) 対応、100 V、52 AのGaNトランジスタ ベアダイ

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IG1C052N10RCDV
IG1C052N10RCDV

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    Gen 1
  • ID (@25°C) (最大)
    52 A
  • QG
    13 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    6 mΩ
  • TID (最大)
    500 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    3.9 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    500
  • パッケージ
    Die
  • 極性
    N
  • 製品グループ
    Rad hard GaN FETs
  • 認定
    Visual inspection
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IR HiRelの耐放射線 (RAD) GaNトランジスタ技術は、宇宙用途向けに高性能なパワー デバイスを提供します。これらのデバイスは、総電離線量 (TID) とシングルイベント効果 (SEE) の両方について特性評価されています。このデバイスIG1C052N10RCDVはベアダイ パッケージで、スクリーニング レベルは100%目視検査のみです。

特長

  • シングルイベント効果 (SEE) 耐性
  • 超低RDS(on)
  • 低総ゲート電荷
  • 逆回復電荷ゼロ
  • ハーメチック シール セラミック パッケージ
  • 表面実装
  • 軽量
  • ベアダイ

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ