CY7C1051H30-10BVXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1051H30-10BVXIT

データシート
パッケージ

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CY7C1051H30-10BVXIT
CY7C1051H30-10BVXIT
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    8 MBit
  • アラーム
    N
  • インターフェース
    Parallel
  • ウォッチドッグ タイマー
    N
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • リアルタイムクロック
    N
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    10 ns
推奨
OPN
CY7C1051H30-10BVXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY7C1051H30-10BVXITは8 Mbit（512K×16）の非同期CMOS SRAMで、ECC内蔵により1ビット誤り訂正に対応します（自動ライトバック非対応）。電源2.2 V～3.6 V、動作温度−40°C～+85°C、アクセス時間10 ns。単一CEで選択し、BLE/BHEによりバイト読み書き、OE/WEで制御。ICCは100 MHzで90 mA（typ）、CMOSスタンバイISB2は20 mA（typ）。

特長

  • 8 Mbit(512K×16)SRAM
  • ECC内蔵 単一ビット訂正
  • アドレスアクセス10 ns(tAA)
  • 読書込サイクル10 ns(tRC/tWC)
  • VCC動作2.2 V～3.6 V
  • ICC typ 90 mA@100 MHz
  • ISB2待機 typ 20 mA
  • データ保持1.0 V
  • TTL互換I/Oレベル
  • バイト書込(BHE/BLE)
  • 非選択時出力Hi-Z
  • 周囲温度-40°C～+85°C

利点

  • 16ビットバスで外付け削減
  • ECCで単一ビット誤りを訂正
  • 10 nsアクセスで待ち時間削減
  • 10 nsサイクルで高速動作
  • 2.2～3.6 Vで混在電源に対応
  • ICC typ 90 mAで動作電力低減
  • 待機電流でアイドル電力低減
  • 1.0 V保持でバックアップ省電力
  • TTLでレガシー接続が容易
  • バイト書込で無駄な転送削減
  • Hi-Z出力でバス共有が容易
  • -40°C～+85°Cで信頼性向上

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ