CY7C1051H30-10BV1XE
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1051H30-10BV1XE

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY7C1051H30-10BV1XE
CY7C1051H30-10BV1XE

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    8 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~125 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V~3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V~3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512Kb x 16
  • 認定
    Automotive(E)
  • 速度
    10 ns
OPN
CY7C1051H30-10BV1XE
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 480
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 480
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY7C1051H30-10BV1XEは車載向けAEC-Q100準拠の8 Mbit(512K×16)高速非同期CMOS SRAMで、ECCを内蔵します。2.2 V~3.6 V、-40°C~+125°Cで動作し、アドレスアクセスtAAは10 nsです。CE自動パワーダウン、TTL互換I/O、1.0 Vデータ保持により低消費スタンバイと拡張を支援します。鉛フリー48ボールVFBGA(6×8×1.0 mm)を提供します。

特長

  • 8 Mb(512K×16)SRAM
  • ECC内蔵
  • 19ビットアドレスA0-A18
  • 16ビットI/O I/O0-I/O15
  • バイト書込みBLE/BHE
  • tAA=10 ns
  • tRC=10 ns
  • tDOE=5 ns
  • VCC 2.2 V~3.6 V
  • 動作温度-40°C~125°C
  • CE非選択で自動電源断
  • VDR=1.0 Vデータ保持

利点

  • 16ビット幅メモリに最適
  • ECCでデータ整合性向上
  • 512Kを直接アドレス可能
  • 16ビットでスループット向上
  • バイト書込みで無駄を削減
  • 10 nsで高速CPUに対応
  • 10 ns周期で待ち時間削減
  • OE 5 nsで読出しを高速化
  • 2.2–3.6 Vで汎用電源に対応
  • -40°C~125°Cで安定動作
  • CEで待機電力を低減
  • 1.0 V保持でバックアップ節電

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ