CY62187EV30LL-55BAXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62187EV30LL-55BAXIT

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62187EV30LL-55BAXIT
CY62187EV30LL-55BAXIT


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    64 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V~3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    4M x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    55 ns

OPN
CY62187EV30LL-55BAXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-48 (001-50044)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TW
ウェハ製造国
TW,US
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-48 (001-50044)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TW
ウェハ製造国
TW,US
CY62187EV30LL-55BAXIT is a 64-Mbit (4M × 16) CMOS asynchronous SRAM for portable memory expansion. It operates from 2.2 V to 3.6 V across -40°C to +85°C with 55 ns access speed. Typical ICC is 15 mA at 1 MHz (38 mA max) and 45 mA typical at fMax (55 mA max). It supports easy memory expansion via CE1/CE2 and byte enables BHE/BLE. Automatic chip-enable power-down reduces standby to 8 µA typical (48 µA max). Pb-free 48-ball FBGA.

特長

  • 64-Mbit (4M × 16) SRAM
  • 55 ns read/write cycle time
  • 2.2 V to 3.6 V supply
  • 15 mA typ ICC at 1 MHz
  • 8 µA typ standby (Auto PD)
  • 48 µA max standby current
  • 48 µA max data retention current
  • Data retention at VCC = 1.5 V
  • Byte write via BLE/BHE
  • High-Z outputs with OE/CE
  • ESD > 2001 V (MIL-STD-883)
  • 20 mA output sink capability

利点

  • 16-bit bus boosts bandwidth
  • 55 ns access supports fast CPUs
  • 2.2–3.6 V fits many rails
  • Low ICC cuts active power
  • Auto power-down saves energy
  • µA standby extends battery life
  • 1.5 V retention backs up SRAM
  • Byte write cuts write power
  • High-Z outputs ease bus sharing
  • High ESD improves robustness
  • 20 mA sink drives loads directly
  • CMOS balances speed and power

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ