CY62187EV30LL-55BAXIT
Active and preferred
RoHS対応

CY62187EV30LL-55BAXIT

パッケージ

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CY62187EV30LL-55BAXIT
CY62187EV30LL-55BAXIT

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    64 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    4M x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    55 ns
推奨
OPN
CY62187EV30LL-55BAXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-LFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (001-50044)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-LFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (001-50044)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY62187EV30LL-55BAXITは64 Mbit（4M×16）のCMOS非同期SRAMで、ポータブル機器のメモリ拡張に適します。2.2 V～3.6 V、-40°C～+85°Cで動作し、アクセス時間は55 nsです。1 MHzでICC typ 15 mA（max 38 mA）、fMaxでtyp 45 mA（max 55 mA）。CE1/CE2とBHE/BLEのバイトイネーブルで拡張が容易です。チップイネーブル自動パワーダウンでスタンバイ電流typ 8 µA、max 48 µA。鉛フリー48ボールFBGA。

特長

  • 64 Mbit（4M×16）SRAM
  • 55 ns 読み/書きサイクル
  • 電源 2.2 V～3.6 V
  • ICC 15 mA typ（1 MHz）
  • 待機 8 µA typ（自動PD）
  • 待機電流 最大48 µA
  • 保持電流 最大48 µA
  • VCC=1.5 Vでデータ保持
  • BLE/BHEでバイト書込み
  • OE/CEで出力High-Z
  • ESD>2001 V(MIL-STD-883)
  • 出力シンク電流 20 mA

利点

  • 16ビットで帯域を向上
  • 55 nsで高速CPUに対応
  • 2.2–3.6 Vで電源互換
  • 低ICCで動作電力を低減
  • 自動PDで省エネ
  • µA待機で電池寿命を延長
  • 1.5 V保持でデータ保護
  • バイト書込みで書込電力減
  • High-Zでバス共有が容易
  • 高ESDで堅牢性向上
  • 20 mAで負荷を直駆動
  • CMOSで速度と電力を両立

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ