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CY62167DV30LL-55BVXIT
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CY62167DV30LL-55BVXIT

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CY62167DV30LL-55BVXIT
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製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    16 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1M x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    55 ns

OPN
CY62167DV30LL-55BVXIT
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85178)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TW
ウェハ製造国
CN
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85178)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TW
ウェハ製造国
CN
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CY62167DV30LL-55BVXIT is a 16-Mbit (1 M × 16) CMOS static RAM for low-power embedded storage. It operates from 2.2 V to 3.6 V over -40°C to +85°C with 55 ns access time. Typical active current is 2 mA at 1 MHz. Automatic power-down plus standby when deselected cuts current to 2.5 µA typ (22 µA max) at VCC = 3.6 V. Supports BHE/BLE byte enables for 8-bit writes and reads.

特長

  • 16-Mbit SRAM (1 M × 16)
  • 2.2 V to 3.6 V VCC operation
  • Auto power-down on deselect
  • Standby mode via CE1/CE2
  • 2.5 µA typ ISB1/ISB2 standby
  • 2 mA typ ICC at 1 MHz
  • Data retention at VDR = 1.5 V
  • 10 µA max data retention current
  • Byte write via BHE/BLE enables
  • I/O high-Z via CE/OE/BHE/BLE
  • ESD > 2001 V (MIL-STD-883)
  • Latch-up current > 200 mA

利点

  • Integrates into 16-bit buses
  • Works with common 3.3 V rails
  • Cuts idle power when deselected
  • Flexible standby control options
  • µA standby reduces sleep drain
  • Low active current saves battery
  • Keeps data with 1.5 V backup
  • Low retention current saves energy
  • Byte writes reduce write traffic
  • High-Z outputs enable bus sharing
  • Improves robustness vs ESD hits
  • Avoids latch-up in fault events

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ