CY62157EV30LL-45ZSXAT
Active and preferred
RoHS対応

CY62157EV30LL-45ZSXAT

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62157EV30LL-45ZSXAT
CY62157EV30LL-45ZSXAT

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    8 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn;Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V~3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 16
  • 認定
    Automotive
  • 速度
    45 ns
OPN
CY62157EV30LL-45ZSXAT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY62157EV30LL-45ZSXATは8-Mbit(512K×16)のCMOS SRAMで、Pb-free 44ピンTSOP IIパッケージのAutomotive-A品です。2.20 V~3.60 V、–40°C~+85°Cで動作し、45 nsアクセスを実現。1 MHzでの典型動作電流6 mAと典型スタンバイ2 µA、アドレス非トグル時の自動パワーダウンにより低消費電力化。BHE/BLEのバイトイネーブルとCE1/CE2でメモリ拡張に対応。

特長

  • 8 Mbit SRAM、512K×16
  • 512K×16/1M×8切替
  • 読出しtRC=45 ns
  • OE→有効tDOE=22 ns
  • VCC 2.20 V~3.60 V
  • 待機電流 typ 2 µA
  • 1 MHz動作 typ 6 mA
  • 非選択で自動パワーダウン
  • BHE/BLEでバイト書込
  • 非選択時出力はハイZ
  • データ保持VDR=1.5 V
  • I/O容量 最大10 pF

利点

  • 8 Mbitで基板スペース削減
  • 1M×8でバス整合が容易
  • 45 nsで高速CPUに対応
  • 22 ns OEで高速読出し
  • 2.2~3.6 Vで電源互換
  • 2 µA待機で電池寿命延長
  • 6 mA動作で消費電力低減
  • 自動PDでアイドル電力低減
  • バイト書込でRMW回避
  • ハイZでバス共有が簡単
  • 1.5 V保持でスリープ維持
  • 10 pFで信号品質を確保

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }