新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

CY15B128J-SXAT

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パッケージ

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CY15B128J-SXAT
CY15B128J-SXAT
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    128 kBit
  • インターフェース
    I2C
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    3.4 MHz
  • 組織 (X x Y)
    16Kb x 8
  • 認定
    Automotive
  • 速度
    0 ns
OPN
CY15B128J-SXAT
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY15B128J-SXATは128 Kbit（16K × 8）車載用シリアルF-RAMで、高信頼性強誘電体技術を採用し、100兆回の読み書きと65°Cで151年のデータ保持が可能です。動作電圧は2.0 V～3.6 V、100 kHz時の動作電流は175 μA、スリープ時は8 μA。最大3.4 MHzのI2Cインターフェースと8ピンSOICパッケージを備え、瞬時の不揮発性書き込み、書き込み遅延なし、低消費電力でデータロギング、産業用、車載用途に最適、–40°C～+85°Cで動作します。

特長

  • 128 Kbit F-RAM（16K × 8構成）
  • 10¹⁴回の読書き耐久性
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™書込、RAM同等速度
  • I2C最大3.4 MHz対応
  • 動作電流175 μA（100 kHz）
  • スリープ電流8 μA
  • 広VDD：2.0 V～3.6 V
  • 動作温度–40°C～+85°C
  • デバイス・メーカーID
  • EEPROMとピン互換
  • レガシーI2Cタイミング対応

利点

  • 頻繁・即時データ記録を実現
  • 書込遅延ゼロで高速化
  • 10¹⁴回で保守不要
  • 151年データ保持で安心
  • 低消費電流で省エネ
  • 広VDDで電源設計容易
  • –40°C～+85°Cで安定動作
  • EEPROMから置換可能
  • 新旧I2C設計に対応
  • デバイスIDで管理容易
  • 書込後のポーリング不要
  • 低消費でバッテリ長寿命

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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