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RoHS準拠
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CY15B104QN-50SXAT

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パッケージ

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CY15B104QN-50SXAT
CY15B104QN-50SXAT
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Excelon™
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    1.8 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    1.8 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    50 MHz
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 8
  • 認定
    Automotive(A)
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
CY15B104QN-50SXAT
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY15B104QN-50SXATは自動車システム向け4Mb EXCELON™ Auto強誘電体RAM（F-RAM）で、非揮発性メモリ、100兆回の読み書き耐久性、151年のデータ保持を実現します。動作電圧は1.8 V～3.6 V、温度範囲-40°C～+85°C、最大50 MHz SPI対応、先進的な書き込み保護を備えます。低消費電力モードは待機とディープパワーダウン。AEC-Q100 Grade 3認定取得、8ピンSOICパッケージで高信頼性自動車用途に最適です。

特長

  • 4Mb強誘電体RAM、512K×8構成
  • 事実上無限の耐久性：10¹⁴回
  • 60°Cで151年データ保持
  • 即時不揮発性書き込み
  • 最大50 MHz SPIインターフェース
  • SPIモード0/3対応
  • ハード/ソフト書き込み保護
  • 専用256バイト特殊セクタ
  • デバイス・ユニークID搭載
  • 動作電流：1 MHz時0.4 mA、40 MHz時3.7 mA
  • 待機電流：2.7 µA（標準）
  • ディープパワーダウン：1.1 µA（標準）

利点

  • 頻繁なデータ記録に信頼性
  • 書き込み遅延なしでリアルタイム
  • 151年データ保持で安心
  • 10¹⁴回の耐久性で長寿命
  • 50 MHz SPIで高速転送
  • 柔軟なSPIで統合容易
  • 書き込み保護で誤操作防止
  • 特殊セクタでリフロー耐性
  • ユニークIDで追跡容易
  • 低消費電力で省エネ
  • ディープパワーダウンで電池長持ち
  • ハイバネートで消費電力最小化

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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