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RoHS準拠
鉛フリー

CY14V256LA-BA35XI

EA.
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CY14V256LA-BA35XI
CY14V256LA-BA35XI
EA.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    256 kBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ~ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    3 V ~ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    32K x 8
  • 認定
    Industrial
OPN
CY14V256LA-BA35XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-48 (51-85128)
包装サイズ 299
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-48 (51-85128)
包装サイズ 299
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
CY14V256LA-BA35XIは、高速SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせた256Kビット (32K×8) の並列nvSRAMです。61 µF~180 µFのVCAPコンデンサーを使用することで、35 nsのアクセスと電源オフ時のAutoStore (ハンズオフ) をサポートし、さらにハードウェア/ソフトウェアによるSTOREとRECALLにも対応しています。-40℃~85℃の温度範囲で、VCC 3.0 V~3.6 V、VCCQ 1.65 V~1.95 Vで動作し、20年間のデータ保持と100万回のSTOREサイクルを実現します。

特長

  • 32K×8 nvSRAM構成
  • 35 ns SRAMアクセス
  • 電源断で自動STORE(VCAP)
  • HSB/ソフト/自動STORE
  • ソフト/電源投入RECALL
  • STORE耐久1000 K回
  • データ保持20年
  • コアVCC 3.0–3.6 V
  • I/O VCCQ 1.65–1.95 V
  • 低電圧で書込/STORE禁止
  • HSBオープンドレインBUSY
  • VCAP容量61–180 µF

利点

  • リアルタイムデータのためのSRAM並みの速度
  • 停電時のバックアップ用ファームウェアはありません
  • 電源投入後の自動データ復元
  • MCUコードなしでHSB経由で手動保存
  • ソフトウェアのSTORE/RECALLで制御が可能
  • データロギングのための高いSTORE耐久性
  • 長期保存データのための20年間の保持
  • デュアルレールによりI/O電圧のマッチングが容易になります
  • 抑制により電圧低下による破損が防止されます
  • HSBにより簡単なステータス監視が可能
  • VCAP STOREはバックアップバッテリーを不要にします
  • AutoStoreを無効にしてNVの摩耗を軽減する

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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