CY14V256LA-BA35XI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY14V256LA-BA35XI

パッケージ
個.
在庫あり

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CY14V256LA-BA35XI
CY14V256LA-BA35XI
個.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    256 kBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    3 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    32K x 8
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
CY14V256LA-BA35XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85128)
梱包サイズ 299
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TFBGA-48
パッケージ名 FBGA-48 (51-85128)
梱包サイズ 299
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY14V256LA-BA35XIは、高速SRAMとQuantumTrap不揮発性ストレージを組み合わせた256Kビット (32K×8) の並列nvSRAMです。61 µF～180 µFのVCAPコンデンサーを使用することで、35 nsのアクセスと電源オフ時のAutoStore (ハンズオフ) をサポートし、さらにハードウェア/ソフトウェアによるSTOREとRECALLにも対応しています。-40℃～85℃の温度範囲で、VCC 3.0 V～3.6 V、VCCQ 1.65 V～1.95 Vで動作し、20年間のデータ保持と100万回のSTOREサイクルを実現します。

特長

  • nvSRAM構成: 32K × 8
  • SRAMアクセス時間: 35 ns
  • VCAPによるパワーダウン時のAutoStore
  • HSB、ソフトウェア、AutoStoreによるSTORE
  • ソフトウェアまたは電源投入によるRECALL
  • STOREサイクル耐久性: 100万回
  • 不揮発性データ保持: 20年
  • VCCコア電源: 3.0 V～3.6 V
  • VCCQ I/O電源: 1.65 V～1.95 V
  • 低電圧時の書き込み/STORE禁止
  • HSBオープンドレインのビジー インジケーター
  • VCAPコンデンサ容量範囲: 61～180 μF

利点

  • リアルタイムデータのためのSRAM並みの速度
  • 停電時のバックアップ用ファームウェアはありません
  • 電源投入後の自動データ復元
  • MCUコードなしでHSB経由で手動保存
  • ソフトウェアのSTORE/RECALLで制御が可能
  • データロギングのための高いSTORE耐久性
  • 長期保存データのための20年間の保持
  • デュアルレールによりI/O電圧のマッチングが容易になります
  • 抑制により電圧低下による破損が防止されます
  • HSBにより簡単なステータス監視が可能
  • VCAP STOREはバックアップバッテリーを不要にします
  • AutoStoreを無効にしてNVの摩耗を軽減する
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ