これは機械翻訳されたコンテンツです。 詳しくは こちらをご覧ください。

Q-DPAK

CoolMOS™ SJ MOSETs and CoolSiC™ Silicon Carbide MOSFETs in quadruple DPAK (Q-DPAK)

anchor

概要

The latest Q-DPAK package, Infineon extended the top-side cooling offering even further. The Q-DPAK package is twice as big as the D-DPAK and extends the usage into higher power applications. 

主な機能

  • >20% higher power dissipation
  • >12°C lower board temperature
  • Kelvin source pin
  • TCOB capability of >2000 cycles
  • MSL1-compliant
  • Pb-free

製品

概要

上面放熱パッケージは、特に高い入力電力要件とコンバーターサイズの制約を組み合わせたアプリケーションで、市場シェアを獲得し続けています。 これらの上面放熱パッケージは、整流ループ (下面/PCB側) の電流分布を、ダイ接合部から熱を逃がす経路 (上面) から分離することによって、このような要件に対応します。その結果、寄生成分が非常に低く(<5nH)、熱抵抗が極めて低い優れたスイッチングセルが得られます。

上面放熱パッケージは、パワーエレクトロニクスのコミュニティで非常に好評です。これらのパッケージは、(SMDやTHでない) 他のパッケージでは達成できない性能 (電気および熱) を提供し、自動実装によって製造コストを削減します。QDPAKは現在、JEDEC標準の一部であり、 デュアルソーシングを容易にしています。

DPAKとQDPAKは、コンポーネントの上面から放熱するため、寄生熱成分のみがPCBを通過します。したがって、PCBがより低温で動作するため、さらに消費電力を削減できます。寄生スイッチングセルは、放熱が電流の分布に干渉しなくなったことで、>5nHに最適に配線できるようになり、大電流の整流を高速に行えるようになります。

上面放熱パッケージは、特に高い入力電力要件とコンバーターサイズの制約を組み合わせたアプリケーションで、市場シェアを獲得し続けています。 これらの上面放熱パッケージは、整流ループ (下面/PCB側) の電流分布を、ダイ接合部から熱を逃がす経路 (上面) から分離することによって、このような要件に対応します。その結果、寄生成分が非常に低く(<5nH)、熱抵抗が極めて低い優れたスイッチングセルが得られます。

上面放熱パッケージは、パワーエレクトロニクスのコミュニティで非常に好評です。これらのパッケージは、(SMDやTHでない) 他のパッケージでは達成できない性能 (電気および熱) を提供し、自動実装によって製造コストを削減します。QDPAKは現在、JEDEC標準の一部であり、 デュアルソーシングを容易にしています。

DPAKとQDPAKは、コンポーネントの上面から放熱するため、寄生熱成分のみがPCBを通過します。したがって、PCBがより低温で動作するため、さらに消費電力を削減できます。寄生スイッチングセルは、放熱が電流の分布に干渉しなくなったことで、>5nHに最適に配線できるようになり、大電流の整流を高速に行えるようになります。

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する ", "labelEn" : "Ask the community " }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "製品フォーラムのディスカッション ", "labelEn" : "View all discussions " } ] }