S80KS5123GABHB020
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S80KS5123GABHB020

データシート
パッケージ

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S80KS5123GABHB020
S80KS5123GABHB020
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • インターフェース
    xSPI (Octal)
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • インターフェース帯域幅
    400 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    KS-3
  • メモリ容量
    512 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 初期アクセス時間
    35 ns
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～105 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～2 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 技術
    HYPERRAM
  • 認定
    Automotive

推奨
OPN
S80KS5123GABHB020
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-24
パッケージ名 BGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 676
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-24
パッケージ名 BGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 676
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
S80KS5123GABHB020は512 MbのHYPERRAM™自己リフレッシュDRAMで、アレイ/I/Oとも1.8 V、オクタルxSPIスレーブインターフェースを搭載します。8ビットDDRデータバスと16ビットワードアドレス境界に対応し、最大200 MHzで400 MBps、tACC 35 ns。RWDSはリフレッシュ待ちを示し、リードストローブ/ライトマスクとして動作します。ハイブリッドスリープと105°Cで30 µAのディープパワーダウンを備え、-40～105°CのAEC-Q100 Grade 2に適合します。

特長

  • オクタルxSPI+CS#
  • 8ビットDQ[7:0]バス
  • DDRで両エッジ転送
  • 最大クロック200 MHz
  • 最大400 MBpsスループット
  • 最大tACC 35 ns
  • RWDSでストローブ/マスク
  • バーストは直線/ラップ
  • ラップ16/32/64/128バイト
  • ハイブリッドスリープ保持
  • ディープパワーダウンCR0[15]
  • VCC 1.7 V〜2.0 V

利点

  • xSPIホストに容易接続
  • 高速SoCの帯域要求に対応
  • DDRでクロック当たり転送増
  • 200 MHzで高速アクセス
  • tACC 35 nsで読出し遅延低減
  • RWDSでタイミング設計簡素化
  • バーストでキャッシュ読出し最適
  • ラップでバス無駄を削減
  • スリープで省電力+データ保持
  • DPDでリーク電流を最小化
  • クロック停止時の消費低減
  • 1.8 V電源で部品追加不要

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ