S80KS5123GABHB020

データシート

パッケージ

S80KS5123GABHB020

EA.

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製品仕様情報

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Density

512 MBit
インターフェース

xSPI (Octal)
インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)

- / 200
インターフェース帯域幅

400 MByte/s
ピークリフロー温度

260 °C
ファミリー

KS-3
リードボール仕上げ

Sn/Ag/Cu
初期アクセス時間

35 ns
動作温度 (範囲)

-40 °C ～ 105 °C
動作電圧 (範囲)

1.7 V ～ 2 V
動作電圧

1.8 V
技術

HYPERRAM
認定

Automotive

	推奨
OPN	S80KS5123GABHB020
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-24
パッケージ名	BGA-24 (002-15550)
包装サイズ	676
包装形態	TRAY
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー	Yes
ハロゲンフリー	Yes
RoHS準拠	Yes
Infineon stock last updated:		EA. 個の在庫あり

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-24
パッケージ名	BGA-24 (002-15550)
包装サイズ	676
包装形態	TRAY
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

EA.

個の在庫あり

S80KS5123GABHB020は512 MbのHYPERRAM™自己リフレッシュDRAMで、アレイ/I/Oとも1.8 V、オクタルxSPIスレーブインターフェースを搭載します。8ビットDDRデータバスと16ビットワードアドレス境界に対応し、最大200 MHzで400 MBps、tACC 35 ns。RWDSはリフレッシュ待ちを示し、リードストローブ/ライトマスクとして動作します。ハイブリッドスリープと105°Cで30 µAのディープパワーダウンを備え、-40～105°CのAEC-Q100 Grade 2に適合します。

特長

オクタルxSPI+CS#
8ビットDQ[7:0]バス
DDRで両エッジ転送
最大クロック200 MHz
最大400 MBpsスループット
最大tACC 35 ns
RWDSでストローブ/マスク
バーストは直線/ラップ
ラップ16/32/64/128バイト
ハイブリッドスリープ保持
ディープパワーダウンCR0[15]
VCC 1.7 V〜2.0 V

利点

xSPIホストに容易接続
高速SoCの帯域要求に対応
DDRでクロック当たり転送増
200 MHzで高速アクセス
tACC 35 nsで読出し遅延低減
RWDSでタイミング設計簡素化
バーストでキャッシュ読出し最適
ラップでバス無駄を削減
スリープで省電力+データ保持
DPDでリーク電流を最小化
クロック停止時の消費低減
1.8 V電源で部品追加不要

用途

デザインリソース

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特長

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