S26KS512SDPBHB020
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S26KS512SDPBHB020

個.
在庫あり

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S26KS512SDPBHB020
S26KS512SDPBHB020
個.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    512 MBit
  • インターフェース
    HYPERBUS
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 166
  • インターフェース帯域幅
    333 MByte/s
  • バス幅
    x8
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    KS-S
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 分類
    ISO 26262-ready
  • 初期アクセス時間
    96 ns
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~105 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V~1.95 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 技術
    HYPERFLASH
  • 認定
    Automotive
OPN
S26KS512SDPBHB020
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 1690
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 1690
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
S26KS512SDPBHB020は512 Mb(64 MB)のHYPERFLASH™ NORフラッシュメモリで、HYPERBUS™ DDRインターフェースを搭載し、1.8 V時に最大333 MBps、3.0 V時に200 MBpsのリードスループットに対応します。1.8 Vコア/I/O、8ビットデータバス、96 ns初期ランダムリード、高度なセクタ保護を備え、AEC-Q100車載グレード、10万回の書き換え、20年データ保持に対応し、高信頼性の車載・産業用途に最適です。

特長

  • 3.0 V I/O、11本バス信号
  • 1.8 V I/O、12本バス信号
  • 最大333 MBps持続読出スループット
  • DDR:クロック毎に2回データ転送
  • 8ビットデータバス(DQ[7:0])
  • 96ns初期ランダムリードアクセス
  • 512バイトプログラムバッファ
  • ECC:1ビット訂正、2ビット検出
  • ハードウェアCRC計算
  • セキュアシリコン領域(1024バイトOTP)
  • 高度なセクタ保護方式
  • 低消費電力モード:スタンバイ25µA、深パワーダウン8µA

利点

  • 高スループットで高速データアクセス
  • DDRでシステム性能向上
  • 8ビットバスで統合が容易
  • 高速ランダムアクセスで遅延低減
  • 大容量バッファで書込高速化
  • ECCでデータ信頼性確保
  • CRCでエラー迅速検出
  • セキュア領域で重要データ保護
  • 柔軟なセクタ保護で安全性向上
  • 低消費電力で電池長持ち

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ