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IRLU120N
生産終了
生産終了
RoHS対応

IRLU120N

生産終了
100V Single N-Channel Power MOSFET in a I-Pak package
データシート
パッケージ

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IRLU120N
IRLU120N
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    10 A
  • Ptot (最大)
    39 W
  • Qgd
    6.7 nC
  • QG (typ @4.5V)
    13.3 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    185 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    265 mΩ
  • RthJC (最大)
    3.2 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    1 V～2 V
  • VGS(th)
    1.5 V
  • VGS (最大)
    16 V
  • パッケージ
    IPAK (TO-251)
  • 予算価格€/ 1k
    0.21
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IRLU120NPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
IPAK
パッケージ名 IPAK
梱包サイズ 3000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
IPAK
パッケージ名 IPAK
梱包サイズ 3000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

特長

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100kHz
  • Industry standard through-hole power package

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability from distribution partners
  • Industry standard qualification level
  • High performance in low frequency applications
  • Standard pinout allows for drop in replacement

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ