IRL8113S

IRL8113S

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2Pak package

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IRL8113S
IRL8113S

製品仕様情報

  • ID (@ TC=25°C) (最大)
    105 A
  • ID (@ TC=100°C) (最大)
    74 A
  • ID (最大)
    74 A
  • IDpuls (最大)
    420 A
  • Ptot (最大)
    110 W
  • Qgd
    8.3 nC
  • QG
    23 nC
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    7.1 mΩ
  • RDS (on) (最大)
    6 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    6 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    1.32 K/W
  • Rth
    1.32 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) 範囲
    1.35 V~2.25 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • ピン数
    3 Pins
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • Industry-leading quality
  • Low RDS(ON) at 4.5V VGS
  • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
  • Ultra-Low Gate Impedance
  • Logic Level

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ