IRHNMC9A3024
新規設計非推奨

IRHNMC9A3024

本製品は現行品ですが、新規設計には推奨されません。現在、フットプリント互換の新パッケージが入手可能です (注目の製品をご参照ください) 。
データシート
パッケージ

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IRHNMC9A3024
IRHNMC9A3024
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) (最大)
    20 A
  • ID (@25°C) (最大)
    25 A
  • QG
    31 nC
  • QPL型番
    2N7650U8C
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    30 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1.7
  • パッケージ
    SMD-0.2C
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHNMC9A3024 R9 N-channel MOSFET is a rad hard, 60V, 25A device with electrical performance of up to 300krad(Si) TID. With improved immunity to SEE and LET up to 90 MeV·cm2/mg, it is perfect for space applications. Its low RDS(on) and fast switching times make it ideal for DC-DC converters and motor drives. Retains MOSFET advantages including voltage control, fast switching, and temperature stability.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ