IRHF67230SCS
Active and preferred

IRHF67230SCS

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHF67230SCS
IRHF67230SCS
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    5.7 A
  • ID (@25°C) (最大)
    9.1 A
  • QG
    45 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    145 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO205-3
パッケージ名 TO-205AF (TO-39)
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHF67230SCS R6 rad hard N-channel MOSFET is a high-performance power device, suitable for space applications. With a voltage rating of 200V and 9.1A of current, the device is available in a TO-205AF package. Its electrical performance is up to 100krad(Si) TID and is QIRL classified. Its low RDS(on) and gate charge make it ideal for switching applications in DC-DC converters and motor controllers. LET performance is up to 90 MeV·cm2/mg.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ